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NTMFS5834NL, NVMFS5834NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1200
1000
6
800
600
4
Q gs
Q gd
400
200
0
0
C oss
C rss
10
20
30
40
2
0
0
5
10
15
V DS = 20 V
I D = 20 A
T J = 25 ° C
20
25
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
10
V DD = 32 V
I D = 20 A
V GS = 4.5 V
t r
t d(off)
t f
t d(on)
30
20
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
50
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
V GS = 10 V
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
40
30
20
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
10
0.01
Package Limit
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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